■日時：2025年09月17日(水) 10:30-16:30 

■会場：※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※　お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。

■定員：30名

■受講料：49,500円(税込、テキスト費用を含む)
　※複数でのご参加を希望される場合、お申込み追加1名ごとに16,500円が加算となります

■主催：(株)AndTech

■講師：Eリソリサーチ　 代表　 遠藤　政孝　氏

■講演主旨：
　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の3nmノードの量産工程でEUVが用いられており、今年度の2nmノード以降その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、最新のロードマップとEUVリソグラフィの概要を紹介した後、EUVレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。最後に今後のEUVレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。

■習得できる知識：
１）EUVレジスト、EUVメタルレジストの基礎
２）EUVレジスト、EUVメタルレジストの要求特性、課題と対策
３）EUVレジスト、EUVメタルレジストの最新技術動向
４）EUVレジスト、EUVメタルレジストのビジネス動向

■プログラム：

1.ロードマップ
　1.1リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
　1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
　1.3最先端デバイスの動向

2.EUVリソグラフィの概要
　2.1露光装置
　2.2光源
　2.3マスク

3.EUVレジストの基礎
　3.1EUVレジストの設計指針
　3.2化学増幅型EUVレジストの反応機構
　3.3EUVレジストプロセス

4.EUVレジストの要求特性
　4.1化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
　4.2化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー

5.EUVレジストの課題と対策
　5.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　5.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　5.3EUVレジストの開発動向
　　5.3.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　5.3.2ネガレジストプロセス

6. EUVメタルレジスト
　6.1 EUVメタルレジスト用材料
　6.2 EUVメタルレジストの反応機構
　6.3 EUVメタルレジストの性能と開発動向

7.EUVメタルドライレジストプロセス
　7.1EUVメタルドライレジストプロセス用材料
　7.2EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
　7.3EUVメタルドライレジストプロセスの性能と開発動向

8. EUVレジストの技術展望、市場動向

【質疑応答】