■日時：2025年12月3日(水) 13:00～16:00

■会場：オンライン会場
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※お申し込み前に、本案内末尾の「オンライン配信分析講座のご案内」をご確認ください。
※分析講座については、学生無料枠（10名様）を設定しております。
　大学生・大学院生は、無料で受講いただけますので是非ご検討ください。
　学生のお申し込みはこちら（主催者：東レリサーチセンターへリンクします）
　https://www.toray-research.co.jp/service/seminar/student.html

■定員：20名

■受講料：44,000円(税込、テキスト費用を含む)

■主催：株式会社東レリサーチセンター

■講師：株式会社東レリサーチセンター　研究部門　主任研究員　小川　慎吾

■講座概要：
高性能な半導体デバイスを作製するためには、デバイス形成に用いるそれぞれの材料の電気特性および物性を理解し、制御する必要がある。半導体デバイスの微細化と複雑化が極限まで進んでも、材料固有の特性を最大限活用することに変わりがないからである。本講座は、2部構成とし、前半は半導体デバイスに用いる絶縁膜や半導体の基礎的な電気特性である容量-電圧(C-V)特性や電流-電圧(I-V)特性を評価する上で有用な水銀プローブについて紹介し、各種物理分析と組み合わせて半導体材料の電気特性に影響を及ぼす膜質との関係を示す。後半では半導体デバイスの特性に影響を及ぼす欠陥を電気的に検出する手法であるDeep Level Transient Spectroscopy (DLTS)について、半導体や絶縁膜/半導体界面の欠陥を評価した事例を踏まえてその有用性を紹介する。

■カリキュラム：

1.水銀プローブによるC-V, I-V特性評価
(1)原理
(2)事例紹介
 ①半導体のキャリア濃度評価 ―SiCを例に―
 ②異なる方法で形成したSiO2膜の電気特性と膜質の評価
 ③ウェットエッチングを用いた深さ方向C-V測定による電荷分布解析
 ④SiN膜の電気特性と界面のXPSを用いた化学状態評価
 ⑤SiOC膜の電気特性と物理分析による多角的評価

2.DLTSによる半導体および絶縁膜/半導体界面の欠陥評価
(1)原理
(2)事例紹介
 ①SiC中の欠陥準位解析
 ②GaN-HEMTの欠陥評価 ―TEM、CL評価との比較―
 ③GaN上に形成したMOSキャパシタの界面および絶縁膜中欠陥評価
 ④Si上SiN膜の界面および絶縁膜中欠陥評価


■オンライン配信分析講座のご案内
　オンライン配信分析講座とは？
　・本講座はコミュニケーションツール「Teams」を使ったライブ配信のウェビナー（オンラインセミナー）となります。
　・講座開催日時に、ウェビナー参加用 Teams URLにログインしていただき、ご視聴頂きます。
　　
　お申込み後の流れ
　・開催日時前に、申込み頂いたメールアドレスに分析講座参加用のTeams URLをお送りいたします。
　※参加用URLは本講座に申込み頂いた方共通となります。相互に受講者の方の実名がわからない様、弊社で各参加者の氏名、アドレスを非表示とさせていただきます。
　・事前配布資料は、当日までにPDFファイルで配布しますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固くお断りいたします。
　
　注意事項
　・インターネット経由でのライブ中継ですので、回線状態などにより、画像や音声が乱れる場合があります。また、状況によっては、講義を中断し、再接続して再開する場合がありますが、予めご了承ください。
　・万が一、当社のインターネット回線状況や設備機材の不具合により、開催を中止した場合には、受講料の返金や、状況により後日録画を提供すること等で対応させて頂きます。
　・受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
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