■視聴期間：2027年3月1日(月)～2027年3月7日(日)

■会場：アーカイブ配信
※2026年10月7日にライブ配信した録画動画(約3時間)をご視聴いただく形式です。
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※お申し込み前に、本案内末尾の「アーカイブ配信分析講座のご案内」をご確認ください。

■プレミアムパスのご案内
※東レリサーチセンターに分析をご依頼の企業様は、お得なプレミアムパスをご利用いただけます。
　年間パスおよび10シートパスの2種類ががございます。
　詳細はこちらをご確認ください（主催者：東レリサーチセンターへリンクします）
　https://www.toray-research.co.jp/service/seminar/premium.html

■受講料：44,000円(税込、テキスト費用を含む)

■主催：株式会社東レリサーチセンター

■講師：株式会社東レリサーチセンター　研究部門　シニアリサーチマネージャー　小川 慎吾

■講座概要：
高性能な半導体デバイスを作製するために、デバイス作製に用いるそれぞれの材料の電気特性および物性を理解し、制御する必要がある。
本講座は2部構成とし、前半は半導体デバイスの基礎的な電気特性である容量-電圧(C-V)特性や電流-電圧(I-V)特性の評価に水銀プローブを適用した事例を紹介し、各種物理分析と組み合わせて半導体デバイスの電気特性に影響を及ぼす膜質との関係を示す。
後半では半導体デバイスの特性に影響を及ぼす欠陥を電気的に検出する手法であるDeep Level Transient Spectroscopy (DLTS)について、半導体や絶縁膜/半導体界面の欠陥を評価した事例を踏まえてその有用性を紹介する。

■カリキュラム：
1.水銀プローブによるC-V, I-V特性評価
(1)原理
(2)事例紹介
 ①半導体のキャリア濃度評価 ―SiCを例に―
 ②異なる方法で形成したSiO2膜の電気特性と膜質の評価
 ③ウェットエッチングを用いた深さ方向C-V測定による電荷分布解析
 ④SiN膜の電気特性と界面のXPSを用いた化学状態評価
 ⑤SiOC膜の電気特性と物理分析による多角的評価

2.DLTSによる半導体および絶縁膜/半導体界面の欠陥評価
(1)原理
(2)事例紹介
 ①SiC中の欠陥準位解析
 ②GaN-HEMTの欠陥評価 ―TEM、CL評価との比較―
 ③GaN上に形成したMOSキャパシタの界面および絶縁膜中欠陥評価
 ④Si上SiN膜の界面および絶縁膜中欠陥評価
 ⑤光照射DLTSによるn型GaN中の少数キャリア(正孔)トラップ準位評価


■アーカイブ配信講座のご案内：
　アーカイブ配信分析講座とは？
　・ライブ配信講座の録画動画をクラウド上でご視聴いただく形式です。
　・ライブ開催時と同一の資料をご提供いたしますので、ライブ受講と同様の内容を学んでいただけます。
　・視聴はお申込み頂いた方のみに限定いたします。
　・視聴期間中の視聴回数制限はございません。
　・ダイジェスト版（1分程度）にて、視聴確認を事前にご確認ください。
　・ダイジェスト版は無料でご視聴いただけます。
　（準備中）
　・講座によっては、音声に乱れがある箇所があります。予めご了承ください。


　お申込み後の流れ
　・お申込み後、主催者より視聴用URLおよびパスワードをご案内いたします。
　・テキストはPDFファイルで配布します。参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固くお断りいたします。

　注意事項
　・受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
　・同業社からのお申し込みはご遠慮願います。
　・視聴用URLおよびパスワード送信後のキャンセルはお受けいたしません。