[12/10]半導体機能素子製造向けドライプロセス入門【LIVE配信】
開催日時:2024年12月10日(火) 10:30~16:30
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- 主催:(株)R&D支援センター
商品説明
■タイトル:半導体機能素子製造向けドライプロセス入門【LIVE配信】 ~蒸着・スパッタリング・CVD・ALD・ドライエッチング技術および真空・プラズマの基礎~ ■開催日時:2024年12月10日(火) 10:30~16:30 ■会場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます ■定員:30名 ■受講料:55,000円(税込、資料付き/1人) ※最新のセミナー情報を「配信可」にすると割引適用(登録無料) 会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。 ■備考:資料付き
【LIVE配信セミナーとは?】 ■主催:(株)R&D支援センター ■講師:工学院大学 教育支援機構 特任教授 博士(理学) 関口 敦 氏 【専門】 真空工学,薄膜作製,CVD,スパッタリング,ドライエッチング,プロセスプラズマ 【略歴】 1882年 青山学院大学理工学研究科化学専攻修士課程修了 2003年 青山学院大学理工学研究科化学専攻で博士論文審査に合格 1882年 日電アネルバ株式会社(現キヤノンアネルバ株式会社)入社 この間,薄膜太陽電池の製造装置,半導体集積回路素子の製造装置・プロセス 開発などに従事 1990年 同社より新技術事業団(現科学技術振興機構)ERATO 増原極微変換 プロジェクトへ研究員として出向 1992年 アネルバ株式会社(現キヤノンアネルバ株式会社)に復帰 この間,半導体集積回路素子の製造装置(CVD,スパッタリング, ドライエッチング)装置・プロセスの開発に従事 2016年 キヤノンアネルバ株式会社 定年退職 同年 工学院大学 学習支援センター 講師 2020年より現職 2024年 日本表面真空学会より真空と表面の匠賞受賞 日本表面真空学会 教育・育成委員会委員 ■受講対象・レベル: 半導体機能素子の開発技術者・製造技術者, 各種電子デバイスの開発技術者・製造技術者, 電子機能素子の材料などの関連技術者,真空機器関連企業の技術者 ■必要な予備知識: 理系大学卒業程度の基礎知識 ■習得できる知識: 1. 半導体機能素子の製造に必要な薄膜形成技術を学ぶ。 2. 薄膜の形成に,なぜドライプロセスが必要なのかを理解できる。 3. 成膜技術(真空蒸着,スパッタリング,CVD,ALD)のプロセスと装置を学んで製造現場で必要な装置選定・運用などの知識を習得することができる。 4. 薄膜加工技術(ドライエッチング)のプロセスと装置を学んで製造現場で必要な装置選定・運用などの知識を習得することができる。 5. ドライプロセスの基盤である真空技術とプラズマプロセス技術を学び,真空装置・プラズマ装置の運用・メンテナンスに関する知識を習得することができる。 ■趣旨: シリコン半導体集積回路素子,フラットパネルディスプレイ,固体撮像素子や発光ダイオードなどの半導体機能素子によって私たちの生活は飛躍的に豊かになりました。これらの素子はドライプロセスを利用した薄膜形成技術によって製造されています。昨今,リスクマネジメントの観点から,これらの機能素子の製造を国内回帰する動きが強まっていて,改めて薄膜形成と真空技術に関する期待が高まっています。 今回,この需要に応えるため半導体機能素子の製造技術に使用されている「ドライプロセス・装置」および「真空・プラズマ技術」に関して解説します。特に真空蒸着,スパッタリング,CVD,ALDによる成膜技術および薄膜を微細加工するドライエッチング技術を解説します。合わせて,ドライプロセスの基盤となっている真空・プラズマ技術に関して解説します。 ■プログラム: 1.はじめに 1-1. 半導体機能素子を構成する薄膜技術:なぜ薄膜が必要なのか? 1-2. 薄膜とは? 薄膜形成とドライプロセス 1-3. 真空技術の特徴と用途 2. 真空成膜技術 2-1. 真空蒸着 (1) なぜ真空が必要か? 2-2 . スパッタリング (1) 薄膜製造に使用されている理由:なぜ密着性の良い薄膜が得られるのか? (2) プロセスプラズマの基礎 (3) 金属膜に使用する直流スパッタリング (4) プレーナマグネトロンスパッタ技術 (5) 絶縁膜に使用する高周波スパッタリング:セルフバイアスの発生メカニズム (6) バイアススパッタ技術 (7) リアクティブスパッタ技術 2-3. CVD技術 (1) CVDの特徴と必要性:CVDを選択するときの理由 (2) 化学反応速度論の基礎:表面反応の確認手法 (3) CVDのプロセス解析:アレニウスプロット (4) CVDプロセスウインドウの設計 (5) 良好なカバレッジや結晶特性を得るためには (6) CVD装置の設計:クラウジウス-クラペイロンプロット (7) 励起状態を経由するCVD技術(プラズマ支援CVD) 2-4. ALD技術 (1) ALDの特徴と必要性 (2) ALD 技術と装置の特徴 3.薄膜加工技術 ドライエッチング 3-1. 反応性イオンエッチング(RIE)の必要性:微細加工特性 3-2. 種々のエッチング装置 (1) ドライエッチング装置の構造 (2) 静電チャック 3-3. ドライエッチングの終点モニタ 3-4. スパッタエッチングの特性と必要性 4.真空技術の基礎 4-1. 圧力とは? 真空の程度を表す指標である圧力 大気圧は変動する 4-2. 真空の分類 4-3. 真空下での気体の挙動と特徴 4-4. 平均自由行程と粘性流・分子流 4-5. 超高真空の必要性と分子の入射頻度 4-6. ガス流量を考える:安定したガス流用制御技術 5.真空技術の電子産業応用 5-1. 純度を確保するためのガス配管管理:サイクリックパージ 5-2. 真空充填技術:液晶注入 5-3. 清浄表面の確保と真空:クラスター装置の設計指針 5-4. 成膜時の膜純度確保と真空:到達圧力の影響 5-5. CVD原料の蒸発速度と飽和蒸気圧 5-6. 低蒸気圧の化学物質を取り扱う真空装置の設計 6.まとめ 6-1. 今後の製造産業を考える 6-2. 更に真空技術を勉強されたい方へ